Заголовок | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
Тип публікації | Journal Article |
Рік публікації | 2019 |
Автори | Гайдар, ГП |
Abbreviated Key Title | Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. |
DOI | 10.15407/dopovidi2019.05.067 |
Номер видання | 5 |
Розділ | Фізика |
Нумерація сторінок | 66-74 |
Дата публікації | 05/2019 |
Мова | Українська |
Анотація | У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною. |
Ключові слова | германій, кремній, параметр анізотропії рухливості, тензоопір |