Пошук

Found 13 results
Автор Заголовок [ Рік(Asc)]
Filters: Автор is Г.П. Гайдар  [Clear All Filters]
2021
Гайдар ГП, Пінковська МБ, Старчик МІ. Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій. 2021 ;(1):39-50.
2020
Анон. Особенности изменения структуры и электрофизических характеристик n-Si под влиянием разных режимов термообработки. 2020 ;(5):42-51.
Гайдар ГП. Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки. 2020 ;(5):42-51.
2019
Гайдар ГП. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉. 2019 ;(5):66-74.
Анон. К методологии определения тензосопротивления n-Ge и n-Sі в кристаллографических направлениях 〈110〉. 2019 ;(5):66-74.
2018
Гайдар ГП. Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів. 2018 ;(6):58-66.
Анон. Изменение электрофизических свойств сильно легированных монокристаллов n-Ge 〈As〉 под влиянием термоотжигов. 2018 ;(6):58-66.
2017
Анон. Зависимость параметра анизотропии термоэдс увлечения от концентрации примесей в кристаллах n-Ge и n-Si. 2017 ;(5):45-50.
Гайдар ГП, Баранський ПІ. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si. 2017 ;(5):45-50.
2015
Гайдар ГП, Баранський ПІ. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації. Доповіді Національної академії наук України. 2015 ;(6):68-73.

Сторінки